深圳市微电半导体有限公司

40V/N沟道PD快充功率MOS

40V/N沟道PD快充功率MOS
 
特征                                                                                                                       
VDs =40V ID =60A
Ros(oN)(Typ.)= 5.9mΩ @Vcs=10V
Ros(oN)(Typ.)= 8.9mΩ @Vcs=4.5V
低导通电阻RDs(on)
150°C工作温度
100% UIS测试
100% UIS测试!
100% Vds 测试!
 
应用                                                                                                                       
DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
PD方案、工业和电机驱动应用
 
                                                                                                                                                                                       

40V/N沟道PD快充功率MOS
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